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一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20
发明人:  王毅;  张盾
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m3+为al3+、cr3+、fe3+、v3+、co3+、ga3+或ti3+的三价金属离子  一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料  m2+/m3+的摩尔比为1.6～4.5  其特征在于：所述水滑石材料化学组成通式为[m2+1?X+m3+X+(Oh)2]X++(C16h17n2o4s??)X+·nh2o  0.2≤x≤0.4。  m2+为mg2+、zn2+、ni2+、fe2+或mn2+的二价金属离子