Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films

IOCAS-IR

	Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films
	Xu YS(徐永生)
	1997
会议名称	1st Asian Symposium on Organized Molecular Films for Electronics and Photonics (ASOMF I)
会议录名称	Mol. Cryst. Liq. Cryst.
卷号	294
期号	1
页码	23-26
会议日期	OCT 28-30, 1996
会议地点	IBARAKI, JAPAN
摘要	Super-quadratic growth of SHG intensity with thickness could be realized due to the extra dipping-induced and epitaxy-enhanced in-plane polarization in the hemicyanine LB multilayers.
关键词	LANGMUIR-BLODGETT-FILMS
学科领域	Crystallography
学科门类	Crystallography
DOI	https://doi.org/10.1080/10587259708032239
收录类别	SCIE
WOS研究方向	Crystallography
WOS类目	Crystallography
WOS记录号	WOS:A1997XK48000007
引用统计
文献类型	会议论文
版本	出版稿
条目标识符	http://ir.qdio.ac.cn/handle/337002/170209
专题	中国科学院海洋研究所
作者单位	中国科学院海洋研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu YS. Dipping induced in-plane molecular alignment of LB films[C],1997:23-26.